Circuit intégré Chip Program Memory de transistor de transistor MOSFET de puissance de STW34NM60ND
power mosfet ic
,multi emitter transistor
N-canal 600 V, type de 0,097 ohms., 29 Un transistor MOSFET de puissance de FDmesh II
(avec la diode rapide) dans D2PAK, TO-220FP, TO-220 et TO-247
Caractéristiques
Codes d'ordre | Maximum de VDSS @TJ. | Maximum du RDS (dessus). | Identification |
STB34NM60ND STF34NM60ND STP34NM60ND STW34NM60ND |
650V | 0,110 Ω | 29A |
■Le meilleur RDS du monde (dessus) dans TO-220 parmi les dispositifs rapides de diode de récupération
■l'avalanche 100% a examiné
■Basses capacité d'entrée et charge de porte
■Basse résistance d'entrée de porte
■Capacités extrêmement élevées de dv/dt et d'avalanche
DESCRIPTION
Ces transistors MOSFET de puissance de FDmesh™ II avec la diode intrinsèque de corps de rapide-récupération sont produits utilisant la deuxième génération de technologie de MDmesh™. Utilisant une structure verticale de nouvelle bande-disposition, ces dispositifs révolutionnaires comportent extrêmement - la basse sur-résistance et la représentation de changement supérieure. Ils sont idéaux pour des convertisseurs de topologies de pont et de déphasage de ZVS
CAPACITÉS ABSOLUES (1) |
SI (POIDS DU COMMERCE) 12 A
VRRM 600 V
IRM (type) 7 A
Tj 175°C
VF (type) 1,4 V
trr 25 (maximum) NS
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UNE PARTIE DES ACTIONS
TRANS. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
C.I L7805CD2T-TR | 2500 | St | 14+ | D2PAK |
FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD485EDR | 1500 | TI | 16+ | SOP-8 |
SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | PUCE | 13+ | TQFP-44 |
C.I TLC072CDGNR | 5000 | TI | 05+ | MSOP-8 |
C.I SN74LS374N | 2000 | TI | 15+ | DIP-20 |
TRANS. BC817-16LT1G | 300000 | SUR | 12+ | SOT-23 |
C.I TL074CN | 1000 | TI | 12+ | DIP-14 |
OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
TRIAC BT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
C.I WS79L05 | 100000 | LE WS | 16+ | TO-92 |
RECHERCHE RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RECHERCHE RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RECHERCHE RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RECHERCHE RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RECHERCHE RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RECHERCHE RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RECHERCHE RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RECHERCHE RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
PAC 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | SAMSUNG | 16+ | SMD1206 |
Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie
Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V
Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5
UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI
Image | partie # | Description | |
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Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC |
1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
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6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie |
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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V |
IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
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Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5 |
38.4k Modem 24-SSOP
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UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI |
GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
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