Transistor MOSFET de changement PLANAIRE de puissance de SILICIUM de ZTX653 NPN (TRANSISTORS de PUISSANCE MOYENNE)
Caractéristiques
VCBO:
120 V
VCEO:
100 V
VEBO:
5 V
ICM:
6 A
IC:
2 A
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
ZTX653
Transistor MOSFET de changement PLANAIRE de puissance de SILICIUM de NPN (TRANSISTORS de PUISSANCE MOYENNE)
CARACTÉRISTIQUES
* 100 volts VCEO
* courant continu de 2 ampères
* basse tension de saturation
* watt Ptot=1
CAPACITÉS ABSOLUES
PARAMÈTRE | SYMBOLE | ZTX653 | UNITÉ |
Tension de collecteur-base | VCBO | 120 | V |
Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 100 | V |
Tension d'Émetteur-base | VEBO | 5 | V |
Courant maximal d'impulsion | Missile aux performances améliorées | 6 | |
Courant de collecteur continu | IC | 2 | |
La dissipation de puissance à Tamb=25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C | Ptot |
1 5,7 |
W mW/°C |
Température ambiante d'opération et de température de stockage | Tj : Tstg | -55 à +200 | °C |
BULLETIN DE LA COTE
AX3131ESA | 2170 | AXELITE | 16+ | SOP-8 |
DCP020507U | 1150 | BB | 16+ | SOP-12 |
AT89C2051-24SU | 2300 | ATMEL | 13+ | SOP-20 |
HCF4051M013TR | 3460 | St | 14+ | CONCESSION |
HEF4015BT | 1520 | 15+ | CONCESSION | |
HGTG27N120BN | 1520 | FAIRCHILD | 16+ | TO-247 |
ATTINY45-20SU | 2500 | ATMEL | 14+ | SOP-8 |
BCP53T1G | 12000 | SUR | 15+ | SOT-223 |
BCP56T1G | 12000 | SUR | 15+ | SOT-223 |
EP3C10F256C6N | 2100 | ALTERA | 16+ | BGA |
25LC512-I/SN | 3000 | PUCE | 15+ | CONCESSION |
AD8113JSTZ | 2450 | ANNONCE | 16+ | QFP100 |
AT91RM9200-QU-002 | 2500 | ATMEL | 16+ | QFP208 |
HCPL-7800 | 1520 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |
DAC7554IDGSR | 1625 | TI | 15+ | MSOP-10 |
ATMEGA64A-MU | 2500 | ATMEL | 16+ | QFN-64 |
ISL6227CAZ-T | 7760 | INTERSIL | 12+ | SSOP-28 |
EV1527 | 1950 | EV | 15+ | SOP-8 |
BC868-25 | 12000 | 16+ | SOT-89 | |
CXA3796N | 3375 | SONY | 16+ | TSSOP-24 |
HCF4049UM013TR | 3460 | St | 16+ | CONCESSION |
GS-R405S | 3460 | St | 16+ | IMMERSION |
DAP013F | 1450 | SUR | 16+ | SOP-13 |
HUF75545P3 | 2460 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
HFBR-2521Z | 1520 | AVAGO | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
HD6412240FA20 | 1520 | RENESAS | 15+ | QFP |
EN5336QI | 2580 | ENPIRION | 16+ | QFN |
4816P-1-102 | 3000 | BOURNS | 16+ | SOP-16 |
ADG3300BRUZ | 2000 | ANNONCE | 15+ | TSSOP |
EL817S-F |
2760 | EVERLIGH | 15+ | SOP-4 |
AM26LV32CDR | 1600 | TI | 16+ | CONCESSION |
2SK955 | 3000 | FUJI | 16+ | TO-3P |
25LC256-I/P | 3000 | PUCE | 14+ | IMMERSION |
AT26DF081A-SU | 2300 | ATMEL | 16+ | CONCESSION |
FDS6930B | 2200 | FSC | 13+ | SOP-8 |
FDLL4448 | 2200 | FSC | 15+ | LL34 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs