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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP
Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance de P4NK60ZFP
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Tension de tenue d'isolation:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
MAX191BCWG+ 2338 MAXIME 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 MAXIME 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 TI 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 TI 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 MAXIME 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 MAXIME 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 MAXIME 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 MAXIME 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 MAXIME 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 TI 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 MAXIME 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 TI 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 MAXIME 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 TI 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 TI 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 TI 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 TI 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 MAXIME 13+ Na
MAX3311CUB 2302 MAXIME 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 MAXIME 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 MAXIME 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 MAXIME 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 MAXIME 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 MAXIME 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 MAXIME 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 MAXIME 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 MAXIME 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 MAXIME 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 MAXIME 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 MAXIME 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

Transistor MOSFET Zener-protégé de SuperMESH™Power

■Ω 1,76 TYPIQUE du RDS (dessus) =

■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM

■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES

■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME

DESCRIPTION

La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.

APPLICATIONS

■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE

■IDÉAL POUR LES ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE, LES ADAPTATEURS ET LE PFC EN DIFFÉRÉ

■ÉCLAIRAGE

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole Paramètre Valeur Unité

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

 STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1
VDS tension de Drain-source (VGS = 0) 600 V
VDGR tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tension de source de porte ± 30 V
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C 4 4 (*) 4
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C 2,5 2,5 (*) 2,5
IDM (•?) Courant de drain (pulsé) 16 16 (*) 16
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 70 25 70 W
Sous-sollicitation du facteur 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte 3000 V
dv/dt (1) Pente maximale de tension de récupération de diode 4,5 V/ns
VISO Tension de tenue d'isolation (C.C) - 2500 - V

Tj

Tstg

La température de jonction fonctionnante

Température de stockage

-55 à 150

-55 à 150

 °C

(•? ?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre

(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.

(*) a limité seulement par la température maximale laissée

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