Transistor MOSFET complémentaire de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance de MJE15032G MJE15033G
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
BCX71G | 48000 | FAIRCHILD | 15+ | SOT-23 |
UC3842 | 49825 | SUR | 16+ | DIP-8 |
2SA1774TLR | 50000 | ROHM | 16+ | SOT23-3 |
2SC3355 | 50000 | NEC | 14+ | TO-92 |
FDN338P | 50000 | FSC | 14+ | SOT-23 |
KIA78L08 | 50000 | KEC | 14+ | SOT89 |
SS13 | 50000 | VISHAY | 16+ | SMA |
MBT2907ALT1G | 51200 | SUR | 16+ | SOT-23 |
BAV70 | 52000 | 13+ | SOT23 | |
SK16 | 52000 | MOSPEC | 15+ | SMA |
UMX1N | 60000 | ROHM | 16+ | SOT363 |
NJM4558D-#ZZZB | 70000 | LE CCR | 16+ | DIP8 |
2SA1586-GR | 78000 | TOSHIBA | 14+ | SOT-323 |
SMBJ18A | 88000 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
UC3842BD1013TR | 90000 | St | 14+ | SOP8 |
FR607 | 98000 | MIC | 16+ | R-6 |
BC857BLT1G | 99000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
78L05 | 100000 | TI | 13+ | TO92 |
AP8022 | 100000 | CHIPOWN | 15+ | DIP-8 |
SMBJ12CA | 101000 | VISHAY | 16+ | SMB |
BC847BLT1G | 117000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
BAT54A | 6000 | 14+ | SOT-23 | |
2N7002P | 3000 | 14+ | STO-23 | |
AD9957BSVZ | 2010 | L'ADI | 14+ | QFP |
BY500-800 | 2015 | VISHAY | 16+ | DO-201 |
LM311P | 2020 | TI | 16+ | DIP8 |
XC5VSX95T-1FFG1136C | 525 | XILINX | 13+ | BGA |
XC5VSX95T-1FFG1136I | 530 | XILINX | 15+ | BGA |
AD9958BCPZ | 2035 | ANNONCE | 16+ | BGA |
BD237 | 2040 | 16+ | IMMERSION |
MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP)
Transistors de puissance complémentaires de plastique de silicium
8,0 AMPÈRES ACTIONNENT LE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE TRANSISTORS 250 VOLTS, 50 WATTS
Conçu pour l'usage comme conducteurs de high−frequency dans des amplificateurs audio.
Caractéristiques
• Le gain actuel de C.C a spécifié à 5,0 ampères
hFE = 70 (minute) @ IC = 0,5 CDA
= 10 (minute) @ IC = 2,0 CDA
• Tension soutenante de Collector−Emitter
− VCEO (sus) = 250 volts continu (minute) de − MJE15032, MJE15033
• Produit à forte intensité de largeur de bande de − de gain
pi = 30 mégahertz (minute) @ IC = mAdc 500
• Paquet de contrat de TO−220AB
• UL époxyde 94 V−0 @ 0,125 de rassemblements po
• Estimations d'ESD : Modèle de machine C
Modèle 3B de corps humain
• Les paquets de Pb−Free sont Available*
ESTIMATIONS MAXIMUM
ESTIMATION |
SYMBOLE |
VALEUR |
UNITÉ |
Tension de collecteur-émetteur |
VCEO |
250 |
Volts continu |
Tension de collecteur-Bsae |
VCB |
250 |
Volts continu |
Tension d'émetteur-Bsae |
VEB |
5,0 |
Volts continu |
Courant de collecteur - continu - Crête |
IC |
8,0 16 |
CDA |
Courant de Bsae |
IB |
2,0 |
CDA |
Dissipation de puissance totale @TC=25℃ Sous-sollicitez au-dessus de 25℃ |
Palladium |
50 0,40 |
W W/℃ |
Dissipation de puissance totale @TA=25℃ Sous-sollicitez au-dessus de 25℃ |
Palladium |
2,0 0,016 |
W W/℃ |
Température ambiante de jonction de stockage et d'opération |
TJ, TSTG |
-65 à +150 |
℃ |
DIMENSIONS DE PAQUET
TO−220
CAS 221A−09
QUESTION AA