Nouveau et original circuit 1.5KE220CA de pont redresseur de diode de redresseur
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
SÉRIE 1.5KE
DISPOSITIF ANTIPARASITE PASSAGER PASSIVÉ EN VERRE DE TENSION DE JONCTION
TENSION 6,8 À 550 volts
Puissance de crête de 1500 watts
5,0 watts d'équilibré
CARACTÉRISTIQUES
• Le paquet en plastique a la Vo de la classification 94 d'inflammabilité de laboratoire de garants
• Jonction passivée en verre de puce en paquet en plastique moulé
• capacité de crête 1500W à 1ms
• Excellente capacité de fixage
• Bas inpedance de zener
• Temps de réponse rapide : en général moins de 1,0 picosecondes de 0 volts vers la BV mn.
• IR typique moins que 1µA au-dessus de 10V
• La soudure à hautes températures a garanti : secondes 250°C/10 .375", longueur d'avance (de 9.5mm), 5lbs., tension (2.3kg)
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : JEDEC DO-201 a moulé en plastique
Terminaux : Terminaux axiaux plaqués, solderable par MIL-STD-750, méthode 2026
Polarité : Extrémité positive dénotée par bande de couleur (cathode) excepté bipolaire
Position de montage : Quels
Poids : 0,045 onces, 1,2 grammes
DISPOSITIFS POUR DES APPLICATIONS BIPOLAIRES
Pour l'usage bidirectionnel C ou CA suffixez pour les types 1.5KE6.80 par des types caractéristiques électriques de 1.5KE550 (par exemple 1.5KE6.8C, 1.5KE550CA) s'appliquent dans les deux directions.
ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES MAXIMUM
Estimations à la température ambiante 25°C sauf indication contraire.
| ESTIMATION | Symbole | Valeur | Unités |
| Dissipation de puissance de crête des impulsions aux VENTRES = 25 °C, TP = 1ms (NOTE 1) | PPPM | Minimum1500 | Watts |
| Courant maximal d'impulsion de sur 10/1000 forme d'onde de µs (note 1) | IPPM | VOIR LE TABLEAU 1 | Ampères |
|
Dissipation de puissance équilibrée à longueurs de l'avance TL = 75°C .375", 9.5mm (note 2) |
P.M. (POIDS DU COMMERCE) | 6,5 | Watts |
|
Courant de montée subite en avant maximal, demi Sinus-vague 8.3ms simple Superposé à la charge évaluée, (méthode de JEDEC) (note 3) |
IFSM | 200 | Ampères |
| Opération et température ambiante de température de stockage | TJ, TSTG | -55 + à 175 | °C |
NOTES :
1. Impulsion actuelle non répétitive, par Fig.3 et sous-sollicité au-dessus du °C Ta=25 par Fig.2.
2. Monté sur la région de cuivre de protection de 0.8x0.8 » (20x20mm) par Fig.5.
3. la demi sinus-vague 8.3ms simple, ou l'onde rectangulaire équivalente, le devoir cycle=4 palpite par maximum de minutes.
ÉVALUATION ET SÉRIES DES COURBES CARACTÉRISTIQUES 1.5KE
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC