Le fournisseur de MOC3021 SOP-6 IC Chips Electronics China Golden IC ultra-rapide PEUT émetteur-récepteur
electronic chip board
,electronic components ic
6-PIN LE CONDUCTEUR DE TRIAC D'OPTOISOLANTS DE L'IMMERSION RANDOM-PHASE A PRODUIT (LA CRÊTE DE 250/400 VOLT)
DESCRIPTION
Les séries de MOC301XM et de MOC302XM sont les dispositifs optiquement d'isolement de conducteur de triac. Ces dispositifs contiennent une diode émetteuse d'infrarouge de GaAs et un commutateur bilatéral actionné léger de silicium, qui fonctionne comme un triac. Ils sont conçus pour connecter entre les contrôles électroniques et les triacs de puissance pour commander les charges résistives et inductives pour 115 opérations de VCA.
CARACTÉRISTIQUES
• Excellent IFT STABILITÉ-IR émettant la diode a la basse dégradation
• Tension-minimum élevé 5300 VCA RMS d'isolement
• Reconnaître-dossier #E90700 du laboratoire de garants (UL)
• Tension de blocage maximale – 250V-MOC301XM – 400V-MOC302XM
• Le VDE a reconnu (dossier #94766) – l'option de commande V (par exemple MOC3023VM)
APPLICATIONS
• Contrôles industriels • Contrôles de solénoïde/valve
• Feux de signalisation • Commutateur statique de courant alternatif
• Distributeurs automatiques • Rhéostats de lampe à incandescence
• Relais à semi-conducteur • Contrôle de moteur • Ballasts de lampe
CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = 25°C sauf indication contraire)
Température de stockage TSTG tout °C -40 à +150
Température de fonctionnement TOPR tout °C -40 à +85
La température TSOL tout de soudure d'avance 260 pour le °C de 10 sec
Température ambiante de jonction TJ chacun des °C -40 à +100
Tension de montée subite d'isolement (1) (tension CA de crête, 60Hz, 1 durée de sec) VISO chacun des 7500 VCA (PK)
Palladium 25°C tout total de dissipation de puissance de dispositif @ 330 mW
Sous-sollicitez au-dessus de 25°C 4,4 mW/°C
Courant en avant continu d'ÉMETTEUR SI chacun des 60 mA
Tension inverse VR chacune des puissance totale de 3 V
Palladium ambiant de la dissipation 25°C que chacun des 100 mW sous-sollicitez au-dessus de 25°C 1,33 mW/°C
Tension hors état VDRM de terminal de sortie de DÉTECTEUR
MOC3010M/1M/2M MOC3020M/1M/2M/3M 250 400 V
Courant de montée subite répétitif maximal (picowatt = 1 Mme, 120 PPS)
ITSM tout 1 une dissipation de puissance totale @ 25°C
Palladium ambiant que chacun des 300 mW sous-sollicitez au-dessus de 25°C 4 mW/°C
Une partie du bulletin de la cote
| DS18B20+ | MAXIME | 1603 | TO-92 |
| BTA41-800BRG | STM | 628 | TO-247 |
| IRF740 | IR | 508D | TO-220 |
| FT231XS-R | FTDI | 1605 | SSOP-20 |
| K9F1G08UOD-SCBO | SAMSUNG | 549 | TSOP-48 |
| B39440-X6764-N201 | EPSON | 2874 | SIP-5 |
| LM3578AM | NSC | CSRC | SOP-8 |
| MAX489CPD | MAXIME | 1618 | DIP-14 |
| AT89C2051-24PU | ATMEL | 1506 | DIP-20 |
| FR2J | PANJIT | 1628 | SMB |
| UF5408 | VISHAY | 1632 | DO-201 |
| SMAJ250A | LITTLEFUSE | 16H128 | SMA |
| DS1603 | Dallas | 9944A1/102795 | DIP-7 |
| 93LC86C-I/SN | PUCE | 1243 | SOP-8 |
| SMF3.3.TCT | SEMTECH | 1622/F03 | SC70-5 |
| DS1338Z-33+TR | MAXIME | 1630A3 | SOP-8 |
| GQM1885C1H150GB01D | MURATA | IA6903WR4 | SMD0603 |
| C0402C222K5RACTU | KEMET | 1603 | SMD0402 |
| GCM155R71H223KA55D | MURATA | IA6903WR4 | SMD0402 |
| C1608X5R1A475K080AC | TDK | IB16C15763SD | SMD0603 |
| C0402C473K9RACTU | KEMET | 1622 | SMD0402 |
| C0402C472K5RACTU | KEMET | 1603 | SMD0402 |
| CC0805KKX7R6BB106 | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| GRM31CR61E226KE15L | MURATA | IA6903WR4 | SMD1206 |
| CC0402KRX7R7BB103 | YAGEO | 1618 | SMD0402 |
| CC0603JRNP09BN120 | YAGEO | 1618 | SMD0603 |
| CC0603KRX5R8BB105 | YAGEO | 1618 | SMD0603 |
| RC0603FR-0715KL | YAGEO | 1636 | SMD0603 |
| RC0603FR-07232RL | YAGEO | 1619 | SMD0603 |
| RC0603FR-07240KL | YAGEO | 1617 | SMD0603 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC