Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs

AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs

AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs
AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs
AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs
AQW254 Puce de circuit intégré PhotoMOS RELAIS relais à semi-conducteurs
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) X 2 8-DIP (0,300", 7.62mm)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
(Entrée) LED en avant actuelle:
50 mA
(Entrée) tension inverse de LED:
3 V
Crête (d'entrée) en avant actuelle:
1 A
Dissipation de puissance (d'entrée):
75 mW
Dissipation de puissance totale:
850 mW
Tension d'isolement d'entrée-sortie:
C.A. DE 1 500 V
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introduction

 

Type HE (économie à haute fonction)

[Type à 2 canaux (Forme A)]

 

RELAIS PhotoMOS

 

CARACTÉRISTIQUES

1. Taille DIP compacte à 8 broches

L'appareil est livré dans un format compact (W) 6,4 × (L) 9,78 × (H) 3,9 mm (W) 0,252 × (L) 0,385 × (H) 0,154 pouce, taille DIP 8 broches (type de borne à trou traversant ).

 

2. Applicable pour 2 utilisations Form A ainsi que deux utilisations indépendantes 1 Form A

3. Contrôle les signaux analogiques de bas niveau

Les relais PhotoMOS présentent une tension de décalage en circuit fermé extrêmement faible pour permettre le contrôle des signaux analogiques de bas niveau sans distorsion.

 

4. Haute sensibilité, faible résistance ON

Peut contrôler un courant de charge maximum de 0,16 A (AQW254) avec un courant d'entrée de 5 mA.Faible résistance ON de 16 Ω (AQW254).Fonctionnement stable car il n'y a pas de pièces de contact métalliques.

 

5. Courant de fuite à bas niveau

Le SSR a un courant de fuite à l'état bloqué de plusieurs milliampères, alors que le relais PhotoMOS n'a que 100 pA même avec la tension de charge nominale de 400 V (AQW254).

6. Faible force électromotrice thermique (environ 1 µV)

 

APPLICATIONS TYPIQUES

• Machines d'inspection à grande vitesse

• Équipement de communication de données

• L'équipement téléphonique

 

 

 

Valeurs nominales maximales absolues (température ambiante : 25 °C / 77 °F)

Article Symbole AQW254(A) Remarques
Saisir Courant direct LED jeF 50 mA  
Tension inverse LED VR 3V  
Courant direct de pointe LPF 1 A f = 100 Hz, facteur de service = 0,1 %
Dissipation de puissance Pdans 75mW  
Sortir Tension de charge (crête CA) VL 400V  
Courant de charge continu jeL 0,12 A (0,16 A) Une connexion : Peak AC, DC ( ) : en cas d'utilisation d'un seul canal
Courant de charge de pointe jeculminer 0,36 A Une connexion : 100 ms (1 coup), VL= CC
Dissipation de puissance Pdehors 800mW  
Dissipation de puissance totale PJ 850mW  
Tension d'isolation E/S Viso 1 500 V CA Entre entrée et sortie/entre jeux de contacts
Limites de température en fonctionnement Jopr

–40°C à +85°C

–40 °F à +185 °F

 Sans condensation à basse température
Stockage Jstg

–40°C à +100°C

–40 °F à +212 °F

  

 

 

 

 

Offre d'achat d'actions (vente à chaud)

Réf. Quantité Marque D/C Emballer
XC9572XL-10TQG100C 510 XILINX 14+ TQFP
MTD1375F 1733 SHINDENGE 16+ HSOP28
CMX865AD4 1756 LMC 16+ POS16
LT3756EMSE-2 1779 LT 13+ MSOP
ADP3334ARZ 1802 PUBLICITÉ 15+ POS8
XC7K325T-2FFG900I 225 XILINX 16+ BGA
AD7732BRUZ 2908 PUBLICITÉ 16+ POSST
ADM2484EBRWZ 3001 PUBLICITÉ 14+ AMADOUER
U8100E 3094 SUR 14+ TO220
XC3SD3400A-4FGG676C 318 XILINX 14+ BGA
CS5532ASZ 3280 CIRRUS 16+ SSOP
D203S 3373 IRP 16+ TO-50
STM32F103RET6 3466 ST 13+ QFP
STRW6253 3559 SANKEN 15+ TO-220F
PIC16F887-I/PT 3652 PUCE ÉLECTRONIQUE 16+ QFP
ST-18 3745 ASLIC 16+ DIP16
AT91SAM7X128B-AU 3838 ATMEL 14+ 100-LQFP
FT2232D 3931 FTDI 14+ LQFP48
PIC18F2420-I/SP 4024 PUCE ÉLECTRONIQUE 14+ PLONGER
UT62256CPC-70LL 4117 Utah 16+ PLONGER
VB525SP 4210 ST 16+ POS-10
AD654JRZ-BOBINE 4303 DJA 13+ AMADOUER
HCPL316J 4396 AVAGO 15+ AMADOUER
AT89S52-24PU 4489 ATMEL 16+ PLONGER
AD536AJD 4582 PUBLICITÉ 16+ PLONGER
BD6775EFV-E2 4675 ROHM 14+ SSOP28
IRFPS3815 4768 IR 14+ TO-247
ADG918BRMZ 4861 PUBLICITÉ 14+ MSOP
SMP8653A-CBE3 2954 SIGMADES 16+ BGA
NPCD378HAKFX 5047 NUVOTON 16+ QFP

 

 

 

 

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Tous droits réservés.