IVROGNE extérieur 23 de bâti des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
FMMT734TA NPN PNP Transistors Bipolaire (BJT) Transistors PNP - Groupe DarliCM sur 100V 800mA 140MHz 625mW Monture de surface SOT-23-3
Caractéristiques
BVCEO > - 100 V
IC = -800mA Courant continu élevé du collecteur
DarliCM GROUP sur transistor hFE > 20k @ 100mA pour le gain élevé
Résistance élevée au gain à 5A
Dissipation de puissance de 625 mW
Groupe complémentaire DarliCM sur le NPN Type: FMMT634
Totalement exempt de plomb et entièrement conforme à la directive RoHS (notes 1 et 2)
Il est exempt d'halogène et d'antimonie.
Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour une fiabilité élevée
Données mécaniques
Le cas: SOT23
Matériau du boîtier: Plastique moulé, vert composé moulé
Classification UL de l' inflammabilité 94V-0
Sensibilité à l'humidité: niveau 1 par J-STD-020
Les terminaux: finition des plombs plaqués en étain mat, soudables selon MIL-STD-202, méthode 208
Poids 0,008 grammes (environ)
Attributs du produit | Sélectionnez Tout |
Catégories | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique | |
Produit de fabrication | Diodes incorporées |
Série | - |
Emballage | Tape et bobine (TR) |
Statut de la partie | Actif |
Type de transistor | PNP - Groupe DarliCM |
Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 800 mA |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 100 V |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic | 1.05V @ 5mA, 1A |
Courant - Coupe du collecteur (maximum) | 200 nA |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Puissance maximale | 625 mW |
Fréquence - Transition | 140 MHz |
Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le SOT-23-3 |
diode Zener extérieure BZT52C2V0-7-F de bâti de 2V 10mA SOD-123
BC817-16 Diode à courant élevé Nouveau et original
BCP5416TA stock nouveau et original
BAT760Q-7 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL
BAV170 Transistor à effet de champ Nouveau et original
Transistor à effet de champ BAV20
BAV199 Transistor à effet de champ Nouveau et original
Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL
BCV46TC stock neuf et original
BCV47QTC stock neuf et original
Image | partie # | Description | |
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diode Zener extérieure BZT52C2V0-7-F de bâti de 2V 10mA SOD-123 |
Zener Diode 2 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
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BC817-16 Diode à courant élevé Nouveau et original |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
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BCP5416TA stock nouveau et original |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
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BAT760Q-7 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 30 V 1A Surface Mount SOD-323
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BAV170 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 85 V 125mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 150 V 200mA Through Hole DO-35
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BAV199 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Diode Array 1 Pair Series Connection 85 V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode Array 1 Pair Series Connection 100 V 150mA Surface Mount SC-70, SOT-323
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BCV46TC stock neuf et original |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 330 mW Surface Mount SOT-23-3
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BCV47QTC stock neuf et original |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
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