Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
SOT-23 - Transistor de puissance et DarliCM GROUPons
Numéro de la pièce
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Caractéristiques électriques
Mfr. # |
MMBT5551 |
Montage du style | SMD/SMT |
Polarité de transistor | NPN |
Configuration | Simple |
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum | 160 V |
Tension de collecteur-base VCBO | 180 V |
Tension basse VEBO d'émetteur | 6 V |
Tension de saturation de collecteur-émetteur | 0,2 V |
Courant de collecteur maximum de C.C | 0,6 A |
Palladium - dissipation de puissance | 325 mW |
Produit pi de largeur de bande de gain | 300 mégahertz |
Température de fonctionnement minimum | - 55 C |
Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain | 80 à 10 mA, 5 V |
HFE de gain actuel de C.C maximum | 250 à 10 mA, 5 V |
Type de produit | BJTs - transistors bipolaires |
Caractéristiques électriques (aux ventres =°C 25 sauf indication contraire)