Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44VPBF |
N-canal 60 V 55A (comité technique) 115W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44NSTRLPBF |
N-canal 55 V 49A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 94W (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ34NPBF |
N-canal 55 V 29A (comité technique) 68W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ24NPBF |
N-canal 55 V 17A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRFZ48NSTRLPBF stock nouveau et original |
N-canal 55 V 64A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 130W (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFZ44E |
Canal N 60 V 48 A (Tc) 110 W (Tc) Traversant TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 1N4148WS-E3-08 |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 75 V 150mA
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'APC-817C1-SL |
Le transistor d'optoisolant a produit 5000Vrms 1 la Manche 4-SMD
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 25CTQ045 |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 45 V 15A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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Transistor à effet de champ VS-UFB60FA60P classé ROHS Transistor à haute tension |
Bâti SOT-227-4, miniBLOC de châssis de l'indépendant 600 V 44A de la rangée 2 de diode
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VISHAY
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IRGP4066DPBF Transistor à effet de champ Transistor à sortie horizontale Transistor à coque noire |
Fossé 600 V 140 A 454 W d'IGBT par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistors à mousse de puissance RF de précision professionnelle VS-65PQ015PBF ROHS |
Diode 15 V 65A par le trou TO-247AC
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VISHAY
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Transistor à effet de champ de haute précision MBR20100CTP Transistor bipolaire à porte isolée |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 100 V par le trou TO-220-3
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Produit de fabrication
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Les transistors IRLR120NTRPBF sont en stock |
Bâti D-PAK de la surface 48W (comité technique) du N-canal 100 V 10A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-12CWQ10FNTRPBF |
Barrette de diodes 1 paire cathode commune 100 V 6A montage en surface TO-252-3, DPak (2 fils + lang
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VISHAY
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BCX53,146 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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1PS76SB40,135 Diode à courant élevé Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 40 V 120mA
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Nexperia
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PESD12VS1UL,315 Diode à puce neuve et originale |
35V bâti extérieur DFN1006-2 de diode de la bride 5A (8/20µs) PIP TV
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Nexperia
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PHK31NQ03LT Diode à puce NOUVEAUTE et originale |
Rangée de transistor MOSFET
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Nexperia
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PDZ10BGWX Diode haute puissance Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-123 de la diode Zener 10 V 365 mW ±2.2%
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Nexperia
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GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Nouveau diode de télévision d'origine 3,3 V 12,3 V SOT23-3 |
12.3V bâti extérieur SOT-23-3 de diode de la bride 30A (8/20µs) PIP TV
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VISHAY
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Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé pour la détection de la pollution atmosphérique. |
Bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de la diode 30 V 200mA
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Semi-conducteur de Diotec
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Le détecteur de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs de détecteurs |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 (TO-261) de 130MHz 1,5 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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MJD127T4G stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 100 V 8 un bâti 1,75 extérieur de 4MHz W DPAK
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On Semi / Catalyseur Semi
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STW45NM60 stock neuf et original |
N-canal 650 V 45A (comité technique) 417W (comité technique) par le trou TO-247-3
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STMicroelectronics
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STP110N8F6 stock neuf et original |
N-canal 80 V 110A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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STP110N7F6 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 68 V 110A (comité technique) 176W (comité technique) par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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STP55NF06 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
N-canal 60 V 50A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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TIP122 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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TIP127 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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BTA24-600BWRG stock nouveau et original |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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BTA16-600CWRG stock neuf et original |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 16 A par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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BTA06-600SWRG Réserves nouvelles et originales |
Logique de TRIAC - porte sensible 600 V 6 A par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 200 V 200 mA Traversant DO-35 (DO-204AH)
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Fairchild
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BAV199 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 85 V 1
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DIODES
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 200 V 250mA par le trou DO-35
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Semi-conducteur de Diotec
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 200 V 250mA par le trou DO-35
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Semi-conducteur de Diotec
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BAV23,235 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 200 V 225mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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BAV23,215 Transistor à effet de champ |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 200 V 225mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV23A-QR |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 200 V 225mA de 1 paire
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV23AHE3-TP |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 200 V 225mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Rangée de diode bâti extérieur commun de la cathode 70 V 200mA de 1 paire
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la cathode 75 V 215mA de terrain communa
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Fairchild
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BAV70S,115 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires de cathodes communes 100 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88,
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV99 NEW AND ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 75 V 21
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Semi-conducteur de Diotec
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Transistor à effet de champ BAV99T NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 85 V 75mA Montage en surface SOT-523
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Fairchild
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BAV99STB6_R1_00001 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 2 paires Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SOT-563, SOT-666
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAV99S-AU_R1_000A1 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 2 paires Connexion série 100 V 150mA Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 100 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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DIODES
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Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 70 V 200mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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Semi-conducteur de Diotec
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