| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ |
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Transistor à effet de champ IRG4PC40WPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL
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IGBT 600 V 40 A 160 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4BC40UPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL
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IGBT 600 V 40 A 160 W Traversant TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4PH40UDPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL
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IGBT 1200 V 41 A 160 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4PH50UDPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL
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IGBT 1200 V 45 A 200 W par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRG4PC50UPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL
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IGBT 600 V 55 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4PC50WPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL
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IGBT 600 V 55 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4PF50WDPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL
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IGBT 900 V 51 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP35B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 60 A 308 W par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4IBC20UDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 600 V A 11,4 34 W par le trou TO-220AB Plein-PAK
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4PC50KDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 600 V 52 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4PC50UDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 600 V 55 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4PF50WPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 900 V 51 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4PH50UDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 1200 V 45 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRG4PC50UPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT 600 V 55 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGIB10B60KD1P NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 16 A 44 W par le trou TO-220AB Plein-PAK
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP50B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 75 A 370 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP50B60PD1PBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 75 A 390 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP20B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 40 A 220 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP35B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 60 A 308 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGB6B60KDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES
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IGBT TNP 600 V 13 A 90 W par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGS10B60KDTRRP NOUVELLES ET ORIGINALES
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Bâti extérieur D2PAK d'IGBT TNP 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGP4660D-EPBF
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IGBT 600 V 100 A 330 W par le trou TO-247AD
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGP4062DPBF
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Fossé 600 V 48 A 250 W d'IGBT par le trou TO-247AC
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGP4068DPBF
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Fossé 600 V 96 A 330 W d'IGBT par le trou TO-247AC
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGI4061DPBF
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Fossé 600 V 20 A 43 W d'IGBT par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRAM136-1061A2
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Le conducteur Module IGBT de puissance 3 module de la phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP, 21 avances, a f
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGB4061DPBF
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Fossé 600 V 36 A 206 W d'IGBT par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGB4062DPBF
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Fossé 600 V 48 A 250 W d'IGBT par le trou TO-220AB
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Infineon
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TPS51916EVM-746 DDR2 complet mâle synchrone GRM32ER60J107ME20L de solution de puissance de la mémoire DDR3L et DDR4 de DDR3
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TPS51916 D-CAP™, but spécial DC/DC, approvisionnement 1, comité d'évaluation de D-CAP2™ de mémoire d
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Les instruments du Texas
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MPX5010DP IC a intégré le capteur de pression de silicium sur Chip Signal Conditioned
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Mâle différentiel du capteur 1.45PSI (10kPa) de pression - 0,19" tube (de 4.93mm), conjuguent 0,2 V
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NXP
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PTH04070WAZ 3-A, 3.3/5-V A ENTRÉ le panneau de puce électronique RÉGLABLE de RÉGULATEUR de COMMUTATION
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Le convertisseur non isolé 1 de C.C de C.C de PoL Module a produit 0,9 | 3.6V 3A 3V - entrée 5.5V
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Les instruments du Texas
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Le fournisseur d'IC Chips Electronics China Golden IC de capteur de pression de MPX5100AP ultra-rapide PEUT émetteur-récepteur
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Capteur 2.18PSI | 16.68PSI (mâle 15kPa | 115kPa) absolu - 0,19" de pression tube 0,2 V | 4,7 module
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NXP
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Programme IC Chip Memory IC de diode de redresseur d'IC de capteur de pression de S3B-PH-SM4-TB (SI) (SN)
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Bâti extérieur d'en-tête de connecteur, 3 position à angle droit 0,079" (2.00mm)
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Produit de fabrication
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L'électronique IC Chip Integarted Circuts de module d'alimentation de 0878321420 transistors MOSFET
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Position extérieure 0,079" du bâti 14 d'en-tête de connecteur (2.00mm)
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Produit de fabrication
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Transistors de puissance complémentaires de silicium de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGL40N120ANDTU
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IGBT
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Produit de fabrication
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Module d'alimentation intelligent de diode de thyristor de module d'alimentation de transistor MOSFET de FSBB30CH60F
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Phase 600 V 30 de Module IGBT 3 de conducteur de puissance un module 27-PowerDIP (1,205", 30.60mm)
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On Semi / Catalyseur Semi
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Transistor MOSFET de N-canal de module de diode de thyristor de module d'alimentation du transistor MOSFET IXFN38N100Q2
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Bâti SOT-227B du châssis 890W (comité technique) du N-canal 1000 V 38A (comité technique)
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de BSM50GP120BOSA1 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module IGBT Onduleur triphasé 1200 V 80 A Module de montage sur châssis
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Infineon
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ACTIONS de module d'alimentation de VS-40HFL60S05 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Diode 600 V 40 A Châssis, montage sur goujon DO-203AB (DO-5)
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VISHAY
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ACTIONS de module d'alimentation de VS-T70HFL60S05 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Diode 600 V 70A Montage sur châssis D-55
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VISHAY
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ACTIONS de module d'alimentation de FF200R17KE3HOSA1 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 310 A 1250 W Module de montage sur châssis
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Infineon
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ACTIONS de module d'alimentation de KWD10-1212 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Convertisseurs AC DC fermés 2 sorties 12V 450mA, 450mA 85 ~ 265 VAC Input
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de VS-160MT160KPBF IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Pont redresseur triphasé standard 1,6 kV montage sur châssis MT-K
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VISHAY
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ACTIONS de module d'alimentation de DDB6U144N16RBPSA1 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Pont redresseur triphasé standard 1,6 kV montage sur châssis AG-ECONO2A
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Infineon
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ACTIONS de module d'alimentation de PS21767 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module de commande d'alimentation IGBT triphasé 600 V 30 A Module 38-PowerDIP (1,413", 35,90 mm)
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de PS21765 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module de commande d'alimentation IGBT triphasé 600 V 20 A Module 38-PowerDIP (1,413", 35,90 mm)
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de CS241250 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Diode 1 200 V 50 A Montage sur châssis Module POW-R-BLOK™
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de PH150S280-5 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module isolé DC DC Converter 1 Sortie 5V 30A 200V - Entrée 400V
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de PH100S280-5 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Module isolé DC DC Converter 1 Sortie 5V 20A 200V - Entrée 400V
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Produit de fabrication
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ACTIONS de module d'alimentation de PF500A-360 IGBT NOUVELLES ET ORIGINALES
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Convertisseurs AC DC fermés 1 sortie 360V 1.4A 85 ~ 265 VAC Input
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Produit de fabrication
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