Microcontrôleur INSTANTANÉ électronique de PIC18F452-I/L IC Chip High Performance Enhanced

PIC18FXX2

28/40-pin haute performance, microcontrôleurs INSTANTANÉS augmentés avec 10-Bit A/D

Unité centrale de traitement de la haute performance RISC :

• Architecture/jeu d'instructions optimisés par compilateur C

- Code source compatible avec les jeux d'instructions PIC16 et PIC17

• Adressage de mémoire linéaire de programme à 32 K bytes

• Adressage de mémoire linéaire de données à 1,5 K bytes

• Jusqu'à 10 MIPs d'opération :

- C.C - 40 mégahertz d'entrée de l'oscillateur. /clock

- 4 mégahertz - 10 mégahertz d'entrée de l'oscillateur. /clock avec PLL actif

• instructions larges de 16 bits, circulation de données large à 8 bits

• Niveaux de priorité pour des interruptions

• multiplicateur simple de matériel du cycle 8 x 8

Caractéristiques périphériques :

• Évier à forte intensité/source 25 mA/25 mA

• Trois bornes d'interruption externe

• Module Timer0 : minuterie/compteur à 8 bits/de 16 bits avec le prescaler programmable à 8 bits

• Module Timer1 : minuterie/compteur de 16 bits

• Module Timer2 : minuterie/compteur à 8 bits avec le registre à 8 bits de période (base de temps pour PWM)

• Module Timer3 : minuterie/compteur de 16 bits

• Option secondaire d'horloge d'oscillateur - Timer1/Timer3

• Deux modules de la capture/Compare/PWM (CCP). Goupilles de CCP qui peuvent être configurées comme :

- Entrée de capture : la capture est la résolution de 16 bits et maximale 6,25 NS (TCY/16)

- Compare est la résolution de 16 bits et maximale 100 NS (TCY)

- Sortie de PWM : La résolution de PWM est 1 - à 10 mordus,

freq maximal de PWM. @ : résolution à 8 bits = 156 kilohertz

résolution 10-bit = 39 kilohertz

• Module synchrone de la porte série de maître (MSSP), mode de fonctionnement deux :

- SPI™ à 3 fils (appuis chacun des 4 modes de SPI)

- Jemaîtrede²C™etmodeslave

Le périphérique comporte (suite) :

• Module accessible d'USART :

- Appuis RS-485 et RS-232

• Module parallèle de Port d'esclave (PSP)

Caractéristiques analogues :

• Module compatible de convertisseur analogique-numérique de 10 bits (A/D) avec :

- Vitesse d'échantillonnage rapide

- Conversion disponible pendant le SOMMEIL

- ≤ 1 LSb de linéarités

• Détection programmable de basse tension (PLVD)

- Les appuis interrompent la sur-basse détection de tension

• Remise programmable d'arrêt partiel (BOR)

Caractéristiques spéciales de microcontrôleur :

• 100 000 effacements/écrivent la mémoire INSTANTANÉE de programme augmentée par cycle typique

• 1 000 000 effacements/écrivent la mémoire des données EEPROM de cycle

• Conservation de FLASH/Data EEPROM : > 40 ans

• Auto-reprogrammable sous le contrôle de logiciel

• Puissance-sur la remise (POR), la minuterie du cycle initial (PWRT) et la minuterie de démarrage d'oscillateur (OST)

• Horloge de surveillance (WDT) avec son propre oscillateur de la Sur-puce RC pour l'opération fiable

• Protection programmable de code

• Mode de SOMMEIL d'économie de puissance

• Options sélectionnables d'oscillateur comprenant :

- boucle de serrure de la phase 4X (d'oscillateur primaire)

- Entrée d'horloge secondaire de l'oscillateur (32 kilohertz)

• Approvisionnement simple 5V Programming™ périodique en circuit (ICSP™) par l'intermédiaire de deux bornes

• En circuit corrigez (ICD) par l'intermédiaire de deux bornes

Technologie de CMOS :

• Puissance faible, technologie à grande vitesse de FLASH/EEPROM

• Conception entièrement statique

• Grand choix de tension de fonctionnement (2.0V à 5.5V)

• Températures ambiantes industrielles et prolongées

• Consommation de puissance faible :

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- 25 µA @ 3V typique, 32 kilohertz

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Pin Diagrams

Capacités absolues (†)

Température ambiante sous la polarisation ............................................................................. - 55°C à +125°C

Température de stockage ............................................................................................. -65°C à +150°C

Tension sur toute goupille en ce qui concerne VSS (excepté VDD, MCLR, et RA4) ......... -0.3V à (VDD + 0.3V)

Tension sur VDD en ce qui concerne VSS .......................................................................... -0.3V à +7.5V

Tension sur MCLR en ce qui concerne VSS (note 2) .......................................................... 0V à +13.25V

Tension sur RA4 en ce qui concerne le Vss ................................................................................ 0V à +8.5V

Dissipation de puissance totale (note 1) ............................................................................................... 1.0W

Courant maximum hors de goupille de VSS ........................................................................................... 300 mA

Courant maximum dans la goupille de VDD .............................................................................................. 250 mA

Courant de bride d'entrée, IIK (VI< 0="" or="" V=""> je > VDD) .......................................................................... ±20 mA

Courant de bride de sortie, IOK (Vo< 0="" or="" V=""> O > VDD) .................................................................. ±20 mA

Courant de sortie maximum descendu par toute goupille d'entrée-sortie ............................................................................ 25 mA

Courant de sortie maximum originaire par toute goupille d'entrée-sortie ...................................................................... 25 mA

Courant maximum descendu par PORTA, PORTB, et PORTE (note 3) (combinée) ........................ 200 mA

Courant maximum originaire par PORTA, PORTB, et PORTE (note 3) (combinée) ................... 200 mA

Courant maximum descendu par PORTC et PORTD (note 3) (combinée) ....................................... 200 mA

Courant maximum originaire par PORTC et PORTD (note 3) (combinée) .................................. 200 mA

Note

1 : La dissipation de puissance est calculée comme suit : Pdis = VDD X {IDD - ∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑ (vol. X IOL)

2 : Les pointes de tension au-dessous du VSS à la goupille de MCLR/VPP, induisant les courants de plus grand que 80 mA, peuvent causer le latchup. Ainsi, une résistance de série de 50-100Ω devrait être utilisée en appliquant un niveau « bas » à la goupille de MCLR/VPP, plutôt que tirant cette goupille directement au VSS.

3 : PORTD et PORTE non disponibles sur les dispositifs PIC18F2X2.

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou de toutes les autres conditions au-dessus de ceux a indiqué dans les listes d'opération de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de évaluation de maximum pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

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