Envoyer le message
Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Composants électroniques de puces IC programmables AT28C64B-15PU

Composants électroniques de puces IC programmables AT28C64B-15PU

fabricant:
Puce
Description:
Mémoire IC 64Kbit 150 parallèles NS 28-PDIP d'EEPROM
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température de fonctionnement (cas):
-40°C - 85°C
VCC alimentation d'énergie:
5V ±10%
La température sous la polarisation:
-55°C à +125°C
Température de stockage:
-65°C à +150°C
Courant de charge d'entrée:
µA 10 (maximum)
Courant de fuite de sortie:
µA 10 (maximum)
Point culminant:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Introduction

 

EEPROM parallèle 64K (8K x 8) avec écriture de page et protection des données logicielles AT28C64B

 

Caractéristiques

• Temps d'accès en lecture rapide - 150 ns

• Opération d'écriture de page automatique

- Adresse interne et verrous de données pour 64 octets

• Temps de cycle d'écriture rapides

– Temps de cycle d'écriture de page : 10 ms maximum (standard)

2 ms Maximum (Option – Fiche Technique Réf. AT28HC64BF)

– Opération d'écriture de page de 1 à 64 octets

• Faible dissipation de puissance

– Courant actif 40 mA

– Courant de veille CMOS 100 µA

• Protection des données matérielles et logicielles

• Interrogation de données et bit de basculement pour la détection de fin d'écriture

• Technologie CMOS haute fiabilité

– Endurance : 100 000 cycles

– Conservation des données : 10 ans

• Alimentation unique 5 V ±10 %

• Entrées et sorties compatibles CMOS et TTL

• Brochage à l'échelle de l'octet approuvé par JEDEC

• Plages de température industrielles

• Option d'emballage vert (sans plomb/halogénure)

 

1. Descriptif

L'AT28C64B est une mémoire morte programmable et effaçable électriquement hautes performances (EEPROM).Ses 64K de mémoire sont organisés en 8192 mots sur 8 bits.Fabriqué avec la technologie CMOS non volatile avancée d'Atmel, l'appareil offre des temps d'accès jusqu'à 150 ns avec une dissipation de puissance de seulement 220 mW.Lorsque l'appareil est désélectionné, le courant de veille CMOS est inférieur à 100 µA.

 

L'AT28C64B est accessible comme une RAM statique pour le cycle de lecture ou d'écriture sans avoir besoin de composants externes.L'appareil contient un registre de page de 64 octets permettant d'écrire jusqu'à 64 octets simultanément.Pendant un cycle d'écriture, les adresses et 1 à 64 octets de données sont verrouillés en interne, libérant l'adresse et le bus de données pour d'autres opérations.Après le lancement d'un cycle d'écriture, l'appareil écrira automatiquement les données verrouillées à l'aide d'un temporisateur de contrôle interne.La fin d'un cycle d'écriture peut être détectée par DATA POLLING de I/O7.Une fois la fin d'un cycle d'écriture détectée, un nouvel accès pour une lecture ou une écriture peut commencer.

 

L'AT28C64B d'Atmel possède des fonctionnalités supplémentaires pour garantir une qualité et une fabricabilité élevées.L'appareil utilise une correction d'erreur interne pour une endurance prolongée et des caractéristiques de rétention de données améliorées.Un mécanisme de protection des données logicielles en option est disponible pour se prémunir contre les écritures par inadvertance.L'appareil comprend également 64 octets supplémentaires d'EEPROM pour l'identification ou le suivi de l'appareil.

 

2. Configurations des broches

Nom de la broche Fonction
A0 - A12 Adresses
CE Puce activée
équipement d'origine Activation de la sortie
NOUS Activer l'écriture
E/S0 - E/S7 Entrées/sorties de données
NC Pas de connexion
CC Ne pas se connecter

 

2.1 Vue de dessus PDIP 28 dérivations, SOIC 28 dérivations

 

 

 

2.2 Vue de dessus PLCC 32 broches

 

 

Remarque : les broches 1 et 17 du package PLCC sont Ne pas connecter.

 

2.3 Vue de dessus du TSOP 28 fils

 

 

3. Schéma fonctionnel

 

4. Notes maximales absolues*

                                                                                                         

Température sous biais................................. -55°C à +125°C

 

Température de stockage ....................................... -65°C à +150°C

 

Toutes les tensions d'entrée

(y compris les broches NC)

par rapport à la masse ................................-0,6 V à +6,25 V

 

Toutes les tensions de sortie

par rapport à la masse ................................-0,6 V à VCC + 0,6 V

 

Tension sur OE et A9

par rapport à la masse ................................-0,6 V à +13,5 V

                                                                                                          

*AVIS : Les contraintes au-delà de celles répertoriées sous « Valeurs maximales absolues » peuvent causer des dommages permanents à l'appareil.Il s'agit uniquement d'une cote de contrainte et le fonctionnement fonctionnel de l'appareil dans ces conditions ou dans d'autres conditions au-delà de celles indiquées dans les sections opérationnelles de cette spécification n'est pas implicite.L'exposition à des conditions nominales maximales absolues pendant de longues périodes peut affecter la fiabilité de l'appareil

 

 

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
AT25128AN-10SI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25128AN-10SI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25160A-10TI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25160A-10TI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
AT24C64BN-10SU-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT24C64BN-10SU-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25020AY1-10YI-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25040AY1-10YI-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25040AY1-10YI-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25010AN-10SU-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25010AN-10SU-1.8 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

AT25020AY1-10YI-2.7 mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
Mémoire IC 64Kb (8K X de 24LC64-I/P TV 8) je mémoire instantanée de ² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eeprom

Mémoire IC 64Kb (8K X de 24LC64-I/P TV 8) je mémoire instantanée de ² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eeprom

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC d'AT24C512C-SSHD-T

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC d'AT24C512C-SSHD-T

EEPROM Memory IC 512Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC d'AT25010N-10SC

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC d'AT25010N-10SC

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs