CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) carte de circuit imprimé de carte de circuit imprimé de RAM statique ic
electronics ic chip
,integrated circuit components
CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) carte de circuit imprimé de carte de circuit imprimé de RAM statique ic
Caractéristiques
■ Plages de température
❐ Commercial : 0°C à 70°C
❐ Industriel : –40°C à 85°C
❐ Automobile-A : –40°C à 85°C
❐ Automobile-E : –40°C à 125°C
■ Haute vitesse : 55 ns
■ Plage de tension : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V
■ Faible puissance active
❐ 275 mW (maximum)
■ Faible consommation en veille (version LL)
❐ 82,5 μW (max)
■ Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE et OE
■ Entrées et sorties compatibles TTL
■ Mise hors tension automatique lorsqu'elle est désélectionnée
■ CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
■ Disponible en PDIP 28 broches (600 mil) sans plomb et non sans plomb,
SOIC étroit 28 broches (300 mil), TSOP-I 28 broches,
et boîtiers TSOP-I inversés à 28 broches
mode d'emploi
Le CY62256N[1] est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en 32K mots par 8 bits.Une extension de mémoire facile est fournie par une activation de puce LOW active (CE) et une activation de sortie LOW active (OE) et des pilotes à trois états.Cet appareil dispose d'une fonction de mise hors tension automatique, réduisant la consommation d'énergie de 99,9 % lorsqu'il est désélectionné.
Un signal de validation d'écriture BAS actif (WE) commande l'opération d'écriture/lecture de la mémoire.Lorsque les entrées CE et WE sont toutes deux BASSES, les données sur les huit broches d'entrée/sortie de données (E/S0 à E/S7) sont écrites dans l'emplacement mémoire adressé par l'adresse présente sur les broches d'adresse (A0 à A14).La lecture de l'appareil s'effectue en sélectionnant l'appareil et en activant les sorties, CE et OE actives LOW, tandis que WE reste inactive ou HIGH.Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par les informations sur les broches d'adresse est présent sur les huit broches d'entrée/sortie de données.
Les broches d'entrée/sortie restent dans un état d'impédance élevée sauf si la puce est sélectionnée, les sorties sont activées et l'activation d'écriture (WE) est HIGH.
LISTE DES STOCKS
| CA1458E | 1380 | INTERSIL | 15+ | PLONGER |
| 7MBR50NF060 | 500 | FUJI | 16+ | MODULE |
| AD517JH | 2450 | PUBLICITÉ | 13+ | PEUT |
| 2N6394 | 3000 | SUR | 14+ | TO-220 |
| 2SA1385-Z-E1 | 3000 | NCA | 16+ | À-252 |
| ASPC2R/STE2A | 1600 | SUR | 16+ | QFP100 |
| IRF710 | 1500 | IR | 13+ | AMADOUER |
| BQ27510DRZR-G2 | 1560 | TI | 15+ | RQF |
| IRF840 | 1500 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF740 | 1500 | IR | 16+ | AMADOUER |
| ADG783BCPZ | 2000 | PUBLICITÉ | 15+ | LFCSP |
| ADM3202ARNZ | 2000 | PUBLICITÉ | 15+ | POS-16 |
| 1N4448W-7-F | 9000 | DIODES | 13+ | SOD123 |
| IRF7389TR | 1500 | IR | 15+ | AMADOUER |
| HA13164AH | 3460 | FRAPPER | 15+ | PLONGER |
| IRFR024N | 1500 | IR | 13+ | À-252 |
| HT9302G | 2460 | HOLTEK | 14+ | DIP-16 |
| BTA08-600BW | 2100 | ST | 13+ | TO-220 |
| 2SD1555 | 3000 | TOSHIBA | 13+ | TO-3P |
| 2SK2996 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-220F |
| 2SK2671 | 3000 | SHINDENGE | 15+ | TO-220 |
| 2SK3451 | 3000 | FUJI | 16+ | TO-220F |
| AD574AJD | 2450 | PUBLICITÉ | 16+ | DIP-28 |
| 4N32 | 3000 | FSC | 15+ | DIP-6 |
| 2SC3997 | 3000 | SANYO | 15+ | TO-3PL |
| 2SC5148 | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-3P |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485