512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Multi Time Flash programmable à LED puce de circuit intégré SST27SF512-70-3C-PGE

512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Multi Time Flash programmable à LED puce de circuit intégré SST27SF512-70-3C-PGE

Les caractéristiques:

• Organisé en 64K x8 / 128K x8 / 256K x8

• Opération de lecture de 4,5-5,5 V

• Une fiabilité supérieure

Endurance: au moins 1000 cycles

Réservation des données de plus de 100 ans

• Faible consommation électrique

Le courant actif: 20 mA (typique)

Le courant de veille: 10 μA (typique)

• Temps d'accès à la lecture rapide 70 ns

• Fonctionnement du programme par octet rapide

Temps de programmation par octet: 20 μs (typique)

Temps de programmation des puces:

1.4 secondes (typiquement) pour le SST27SF512

2.8 secondes (typiquement) pour le SST27SF010

5.6 secondes (typiquement) pour le SST27SF020

Description du produit

Le SST27SF512/010/020 est un flash CMOS 64K x8 / 128K x8 / 256K x8, programmable à plusieurs temps (MTP) à faible coût, fabriqué avec la technologie SuperFlash propriétaire et haute performance de SST.La conception de la cellule à porte divisée et l'injecteur de tunneling d'oxyde épais atteignent une meilleure fiabilité et une meilleure fabrication par rapport aux approches alternativesCes dispositifs MTP peuvent être effacés électriquement et programmés au moins 1000 fois à l'aide d'un programmeur externe avec une alimentation 12V. Ils doivent être effacés avant la programmation.Ces périphériques sont conformes aux normes JEDEC pour les mémoires à large bande.

Doté d'un Byte-Program de haute performance, le SST27SF512/010/020 offre un temps de Byte-Program de 20 μs. Conçu, fabriqué et testé pour un large éventail d'applications,ces dispositifs sont proposés avec une durabilité d'au moins 1000 cyclesLa durée de conservation des données est estimée à plus de 100 ans.

Les SST27SF512/010/020 conviennent aux applications nécessitant des écritures peu fréquentes et un stockage non volatile à faible consommation.et performances tout en correspondant au faible coût dans les applications non volatiles qui utilisent actuellement des UV-EPROM, les OTP, et les ROM masquées.

Rating de stress maximal absolu(Les conditions appliquées supérieures à celles énumérées sous “Tensions maximales absolues” peuvent causer des dommages permanents au dispositif.Il s'agit uniquement d'une cote de contrainte et le fonctionnement fonctionnel du dispositif dans ces conditions ou dans des conditions supérieures à celles définies dans les sections opérationnelles de la présente fiche de données n'est pas implicite.L'exposition à des conditions de contrainte maximale absolue peut affecter la fiabilité du dispositif.)

La température est en dessous de Bias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C à +125°C

Température de stockage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - Je ne sais pas. . . . . . -65°C à +150°C D.C.

Voltage sur n' importe quelle épingle au sol. . . . . . . . . . . . . . . . .-0,5V à VDD+0,5V

Voltage transitoire (< 20 ns) sur n' importe quelle épingle au potentiel de mise à la terre. . ..-2,0V à VDD+2,0V

Voltage sur A9 et potentiel de connexion au sol. . . . - Je ne sais pas. . . . . . . . . -0,5 à 14,0 V

Capacité de dissipation de l'énergie du boîtier (TA = 25°C). . . . . . . . . 1,0 W

Température de soudage au plomb par trou (10 secondes). . . . . . . . . - Je ne sais pas. . . . . 300 °C

Température de reflux de la soudure à la surface1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 ° C pendant 10 secondes Courant de court-circuit de sortie2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA

Liste des stocks