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300W-500W commutateur de l'amplificateur TO-220 IRFB4227PBF PDP

fabricant:
Infineon
Description:
N-canal 200 V 65A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
To be negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Nom de la société:
IRFB4227PB
Marque:
INFINEON
Original:
L'Allemagne
Le paquet:
TO-220
type:
Processus avancé de commutateur de PDP
La température de jonction fonctionnante:
175°C
Point culminant:

IRFB4227PB PDP Switch

,

TO-22 PDP Switch

,

500W Amplifier PDP Power MOSFET

Introduction

Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.Technologie de processus avancée de commutation PDPINFINEON Allemagne

Caractéristiques
Technologie de procédé avancée
Paramètres clés optimisés pour le PDP Sustain,
Applications de récupération d'énergie et de commutateur de passe
Faible puissance pour réduire la puissance
Dissipation dans les applications PDP Sustain, récupération d'énergie et pass switch
Faible QG pour une réponse rapide
Capacité de courant de pointe répétitive élevée pour un fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour un changement rapide
Température de fonctionnement de la jonction de 175°C pour une meilleure robustesse
Capacité à faire des avalanches répétitives pour la robustesse et la fiabilité
Amplificateur audio de classe D 300W-500W (à demi-pont)
Définition
Ce MOSFET HEXFET8Power est spécialement conçu pour Sustain;
Applications de commutateur de récupération et de passage d'énergie dans les panneaux d'affichage à plasma.
Ce MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une faible résistance par zone de silicium
Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET sont 175°C.
température de jonction de fonctionnement et haute capacité de courant de pointe répétitif.
Ces caractéristiques combinées font de ce MOSFET un dispositif hautement efficace, robuste et fiable pour les applications de conduite PDP.
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Courant:
MOQ:
10pcs