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Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse

fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 10 A 50 W par le trou TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Courant de collecteur (C.C):
3A
Tension de collecteur-base:
60 V
Tension de collecteur-émetteur:
60 V
tension d'Émetteur-base:
7V
Fréquence:
120MHz
Dissipation du pouvoir:
2w
Polarité de transistor:
NPN
Chaîne fonctionnante de Temp:
-55C à 150C
Point culminant:

epitaxial planar pnp transistor

,

silicon npn power transistors

Introduction

2SD1899 NPN PNP Transistors de silicium NPN Puissance Transistors

Définition

·faible tension de saturation du collecteur

·testé à 100% en avalanche

·Variations minimales par lot pour des performances robustes du dispositif et un fonctionnement fiable


Applications

·Applications à haute fréquence de transition

Les spécifications

Catégorie: BJT - Objectif général
Fabricant: RENESAS TECHNOLOGY
Courant du collecteur (CC) : 3 ((A)
Voltage de base du collecteur: 60 V
Voltage collecteur-émetteur: 60 V
Voltage de base de l'émetteur: 7 V
Fréquence: 120 MHz
Dissipation de l'énergie:
Montage: surfaces
Plage de température de fonctionnement: -55°C à 150°C
Type de colis: TO-252
Nombre de broches: 2 + Tab
Nombre d'éléments: 1
Classification de température de fonctionnement: militaire
Catégorie: Puissance bipolaire
Rad durci: Non
Polarité du transistor: NPN
Puissance de sortie: pas nécessaire ((W)
Configuration: unique
Le gain de courant continu: 60@0,2A@2V/50@2A@2V

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MOQ:
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