Envoyer le message
Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Consommation 64Kb 3V périodique de puissance faible de la puce de mémoire instantanée de F-RAM FM25CL64B-GTR

Consommation 64Kb 3V périodique de puissance faible de la puce de mémoire instantanée de F-RAM FM25CL64B-GTR

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
FRAM (RAM ferroélectrique) Mémoire IC 64Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Série:
mémoire périodique de 64Kb 3V F-RAM
Tension:
2.7-3.65V
Caractéristique:
Remplacement direct de matériel pour EEPROM
Paquet:
SOP8
Application:
la mémoire périodique IC de 64Kb 3V F-RAM ébrèche
Type:
Mémoire instantanée
Point culminant:

serial flash memory

,

serial flash chip

Introduction

FM25CL64B-GTR Faible consommation d'énergie 64Kb Série 3V F-RAM Mémoire IC Chips

 

Description:

 

Le FM25CL64B est une mémoire non volatile de 64 kilobits utilisant un processus ferroélectrique avancé.Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire ou F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures comme une RAM.Il assure une conservation fiable des données pendant 38 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

 

Le FM25CL64B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus.Aucun retard d'écriture n'est encouru.Les données sont écrites dans la matrice de mémoire immédiatement après que chaque octet a été transféré avec succès vers l'appareil.Le cycle de bus suivant peut commencer immédiatement sans qu'il soit nécessaire d'interroger les données.De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles.Le FM25CL64B est capable de supporter 1014 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture que l'EEPROM.

 

Ces capacités rendent le FM25CL64B idéal pour les applications de mémoire non volatile nécessitant des écritures fréquentes ou rapides.Les exemples vont de la collecte de données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de l'EEPROM peut entraîner une perte de données.

 

Le FM25CL64B offre des avantages substantiels aux utilisateurs d'EEPROM série en remplacement du matériel.Le FM25CL64B utilise le bus SPI haute vitesse, qui améliore la capacité d'écriture haute vitesse de la technologie F-RAM.Les spécifications des appareils sont garanties sur une plage de température industrielle de -40°C à +85°C.

 

 

Caractéristiques standards

 

RAM non volatile ferroélectrique 64K bits
 Organisé en 8 192 x 8 bits
 Haute endurance 100 trillions (1014) lecture/écriture
 38 ans de conservation des données (@ +75ºC)
 Écritures NoDelay™
 Processus ferroélectrique avancé à haute fiabilité


Interface périphérique série très rapide - SPI
 Fréquence jusqu'à 20 MHz
 Remplacement matériel direct pour EEPROM
 Mode SPI 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

 

Schéma de protection en écriture sophistiqué
 Protection matérielle
 Protection des logiciels


Basse consommation énergétique
 Fonctionnement basse tension 2,7-3,65 V
 Courant actif de 200 A (1 MHz)
 3 A (typ.) Courant de veille


Configuration standard de l'industrie
 Température industrielle -40C à +85C
 Paquets "vert"/RoHS SOIC et TDFN à 8 broches

 

 

FM25CL64B-G
FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-DG
FM25CL64B-DGTR

 

Présentation De L'Entreprise:

 

Électronique CM GROUP, Établi l'année 2012, devenir un pont fiable entre les clients et l'usine d'origine.CM GROUP, basée sur des années d'expérience dans l'industrie des circuits intégrés et la distribution de marques, offre les meilleurs produits et services fiables pour les fabricants d'électricité et d'électronique.

 

Marque principale avec une source forte :

Outre-mer : ST, ATMEL, Microchip, Xilinx, , AD, Power

Domestique : Holtek, XLSEMI

Principaux produits:Puces MCU, puces de mémoire flash, puces IC programmables, IC amplificateur, IC de gestion de l'alimentation, IC pilote LED, transistor de puissance Mosfet, diode de redressement de puissance, etc.

Application principale :Application industrielle et commerciale, gestion et contrôle de l'alimentation, pilote LED et LCD, contrôle de carte de circuit imprimé, maison intelligente, industrie spatiale, industrie militaire, etc…

 

Que propose CM GROUP :

  1. 100000+ articles réguliers en stock dans les deux entrepôts SZ et HK pour garantir une demande normale des clients.
  2. 10+ ventes avec des années d'expérience dans les composants électroniques aident à soutenir 7/24.
  3. Source fiable et solide pour assurer des prix compétitifs et garder les articles disponibles.
  4. Expédiez les articles dans les 24 heures suivant la confirmation de la commande pour les articles réguliers en stock en SZ.

 

Laissez-nous votre demande maintenant, ou envoyez-nous votre liste de nomenclature par e-mail, notre équipe de vente vous répondra dans les 24 heures.

 
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 stock nouveau et original

SKY65336-11 stock nouveau et original

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs