PCs épitaxiaux du transistor 2L SOT-23 3000 de silicium de MMBT5401 PNP
MMBT5401 Bipolar Transistors BJT
,150V PNP Epitaxial Silicon Transistor
,MMBT5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANSISTOR DE COMMUTATION D'USAGE UNIVERSEL DE MMBT5401PNP
La tension -150voltsactionnent 300mWatts
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : SOT-23, plastique
Terminaux : Solderable par MIL-STD-750,
méthode 2026
Approximativement poids : 0.008gram
Inscription : 2L
CARACTÉRISTIQUES
silicium épitaxial de *PNP, conception planaire.
tension VCE=-150V de *Collector-emitter.
*Collector IC=-0.6A actuel.
* conformément à ER RoHS 2002/95/EC
directives.
fréquence pi >100MHz @ IC=- de *Transition
20mAdc, VCE=-6Vdc, f=100MHz.
DIMENSIONS D'ENSEMBLE SOT-23
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