N-canal simple de transistors MOSFET de FETs d'IC Chips Transistors d'ordinateur de BSC320N20NS3G
L'ordinateur IC de transistors MOSFET ébrèche
,L'ordinateur IC de N-canal ébrèche
,BSC320N20NS3G
Caractéristiques
•N-canal, normallevel
•Produit d'ExcellentgatechargexRDS (dessus) (FOM)
•Verylowon-resistanceRDS (dessus)
•Pb-freeleadplating ; RoHScompliant
•) Fortargetapplication QualifiedaccordiCM GROUPoJEDEC1
•Halogen-freeaccordiCM GROUPoIEC61249-2-21
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
Attributs de produit
Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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N-canal
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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200 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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36A (comité technique)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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32mOhm @ 36A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 90µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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29 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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2350 PF @ 100 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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125W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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PG-TDSON-8-1
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Paquet/cas
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8-PowerTDFN
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Nombre bas de produit
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BSC320
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ATTRIBUT | DESCRIPTION |
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Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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